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广晟微电子RS2012芯片性能超群国内技术水平最高
时间:2010.02.03

    近日,广晟微电子发布了第二代TD-SCDMA/HSPA全数字接口射频芯片(芯片代号为RS2012)开始量产。该款芯片采用0.13um RFCMOS工艺,与现有TD终端射频芯片相比,集成度更高,功耗更低,性能更好,不仅支持16QAM/HSPA技术,还可支持64QAM HSPA的高速数据传输技术。据悉,该芯片是目前国内用于TD-SCDMA/HSPA终端中,技术水平最高和性价比最好的终端射频芯片。
    按照当前TD市场发展动态,TD终端芯片正朝着高集成度、全数字化和多模技术应用方向演进。高集成度是顺应移动终端厂家对持续降低成本的要求,使芯片尺寸更小,集成更多模块;全数字化则要求传统的模拟芯片向数字芯片发展,使其性能更好、稳定性更高;多模技术的应用则是不仅兼容GSM/EDGE2.5代的通信标准,而且还可用于TD-SCDMA和HSPA的高速宽带通信系统,并兼容于第四代LTE通信标准。
    作为国内较早投入TD-SCDMA终端射频芯片研发的射频芯片厂商,广晟微电子在2007年年底即开始对TD-HSPA作前瞻性研究,以低成本,高集成度,低功耗为主要目标,终于将其所研发的RS2012 TD-SCDMA/HSPA全数字接口终端射频芯片成功量产并推向商用。
    据介绍,该款芯片是在满足TD-HSDPA的16QAM调制基础上,进一步提高了射频芯片的上下行性能,尤其是上行电路指标,充分满足TD-HSUPA系统的上行16QAM调制要求,并且具备64QAM上下行传输能力。该芯片为全数字接口,片内集成ABB、LDO及TCXO, 支持1880-1920MHz、2010-2025MHz和2300-2400MHz三频段工作模式。特别是该芯片的接收机通道的EVM仅为3%左右,发射机的EVM也小于4%,为HSPA高速宽带通信提供了优良的上下行通道。封装采用单片无管脚QFN48 封装(1mmX7mmX7mm),是国内目前应用于TD-SCDMA/HSPA终端技术水平最高的可商用射频芯片。
    该公司市场负责人介绍,该款芯片已于09年先后通过国内多个著名基带芯片厂商严格的联调测试,测试结果表明该款芯片在应用上具有显著优势,例如低功耗(接收电流60mA左右);41MHz过采样高精度的14bit接收机模数变换器(ADC);接收机快速自动AGC控制,无需基带干预,快速AGC支持us级响应并支持区分时隙的AGC模式;内置发射balun;还集成了发射温度补偿ADC;发射机具有发射功控自动校准;快速频道切换锁定;无延迟收发切换等优势。由于该款芯片相对其他公司同类产品具有明显的性价比优势,目前已经与国内多个主流基带芯片厂商达成初步合作协议。现正计划在原有的客户基础上拓展与国内外知名终端品牌客户合作,未来还将在原有TD终端业务基础上,大力开拓芯片的市场应用领域例如家庭安防、数字城市、室内Femtocell等。
 

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