研发实力

广晟微电子使用当前国际流行的0.18μm锗硅BiCMOS和0.13μm RF CMOS技术, 并已获得美国IBM公司和JAZZ半导体公司授权使用这两家公司的锗硅BiCMOS和RFCMOS技术。使用的锗硅工艺 BiCMOS技术有如下特点:高速双极型晶体管fT频率超过60GHz,BVceo击穿电压大于3.3V CMOS工艺有1.8V、2.5V和3.3V P型FET晶体管和N型FET晶体管。有可达七层金属的布线,包括铝线和铜线(M1和AM)。有完备的RF元件库,如高Q的电感、mim电容、单线和双线传输线、变容二极管等等。广晟微电子还拥有自己的标准单元库,可以从Verilog编码到自动布线生成数字模块版图。使用RF CMOS技术具有成本低,芯片面积小,以及功耗低等方面的特点,被越来越多的运用到射频指标要求不高而成本特别敏感的射频集成电路中,而且可以与大规模的数字信号处理电路集成在一起,进一步提高系统集成度。利用上述技术,广晟微电子可以设计出世界优秀的用于通信领域的射频集成电路芯片。目前是国内掌握数字及模拟、前端到后端全定制射频集成电路设计核心技术的少数高科技公司之一。

 

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